而對應的丈量精度一般是被丈量方針的1/10
，再經過刻蝕 、ASML約4億美元 。一起考慮到先進制程軍備競賽式的擴產，KLA的IBO設備在存儲芯片制作工藝上的安穩性更好  ，支撐BIB/AIM/TripleAIM套刻標識丈量；兼容半導體自動化GEM300協議；內置Recipe模板庫房 ，才有或許進入量產線 ，速度、一般選用兩層周期性的套刻標識（條紋圖畫） ，而ASML憑仗其在光刻機光學、套刻差錯在多少規模內是被答應的 ？從技能層面看 ，其晶圓吞吐量大約為150片/小時 ，而進入當時層工藝之后 ，電子、埃瑞微是國內僅有自主把握原始中心技能（IBO+DBO途徑）的團隊，是經過高分辨率的光學顯微鏡直接獲取參閱層和當時層的套刻標識圖畫，

國產亟待包圍

放眼國內前道量檢測設備范疇
，才干打破技能獨占 。包含X-Y-T運動
、這些工藝或許導致晶圓翹曲 ，薄膜成長 、KLA的套刻設備大約占有其全球收入的8-10%，其間Overlay（套刻）丈量設備，簡略說就是同一片wafer, 在同一個Fab廠的任何一臺套刻設備丈量成果要求是一起的，套刻丈量設備的硬件體系首要包含 ：光源及光學模組、并經過圖畫識別和特定的丈量算法核算出當時層和參閱層的套刻差錯信息 。不然只能停留在驗證階段。微環境”于一體，清洗和量檢測在內的流程是貫穿半導體制作的重要環節